Art

J-GLOBAL ID：201502211293139572   Reference number：15A0795854

モンテカルロシミュレーションと熱・電気連成解析を併用したパワーSi MOSFETの熱特性予測

Author (4)： KIBUSHI RISAKO (富山県大) ,  HATAKEYAMA TOMOYUKI (富山県大) ,  NAKAGAWA SHINJI (富山県大) ,  ISHIZUKA MASARU (富山県大)
Material： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
Volume： 52nd  Page： ROMBUNNO.E324  Publication year： 2015 
JST Material Number： F0872D  ISSN： 1346-1532  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *MOSFET ,  power transistor ,  simulation ,  numerical analysis ,  *heat characteristic ,  relaxation time ,  temperature ,  electron scattering ,  scattering ,  phonon ,  energy ,  electron temperature
Semi thesaurus term： energy relaxation ,  *power semiconductor ,  phonon scattering ,  *Monte Carlo simulation ,  acoustic phonon ,  lattice temperature ,  optical-phonon ,  electron energy ,  electron relaxation time ,  *coupled analysis

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Phonons and lattice vibrations in crystals  (BL03020Z)

Terms in the title (8)： モンテカルロシミュレーション ,  連成解析 ,  併用 ,  パワー ,  Si ,  MOSFET ,  熱特性 ,  予測