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J-GLOBAL ID：201502214416677573   Reference number：15A0772536

Impacts of AlO_x formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures

AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に対するAlO_x形成の影響

Author (7)： ONUMA Takeyoshi (Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN) ,  ONUMA Takeyoshi (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ONUMA Takeyoshi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIURA Yohei (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Tomohiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA Tohru (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 8  Issue： 5  Page： 052401.1-052401.3  Publication year： May. 2015 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  *gallium nitride ,  *device structure ,  *photoluminescence ,  time resolved spectroscopy ,  spectrum ,  two dimensional electron gas ,  Aluminum Oxide ,  compound semiconductor ,  *hetero-structure
Semi thesaurus term： AlN ,  GAN ,  photoluminescence ,  photoluminescence spectrum

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (18)：

• For example, see H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
• J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
• M. S. Miao, J. R. Weber, and C. G. Van de Walle, J. Appl. Phys. 107, 123713 (2010).

Terms in the title (4)： AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  発光特性