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J-GLOBAL ID：201502214809289508   Reference number：15A1107046

Experimental and numerical investigation of contact-area-limited doping for top-contact pentacene thin-film transistors with Schottky contact

ショットキー接合および先端接合型ペンタセン薄膜トランジスタ用の接触面積制限ドーピングの実験的および数値的研究

Author (3)： NODA Kei (Dep. of Electronics and Electrical Engineering, Keio Univ., 3-14-1 Hiyoshi, Kohoku-ku, Yokohama, Kanagawa 223-8522 ...) ,  WADA Yasuo ,  TOYABE Toru
Material： Physical Chemistry Chemical Physics  (PCCP)
Volume： 17  Issue： 40  Page： 26535-26540  Publication year： Oct. 28, 2015 
JST Material Number： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： metal-semiconductor junction ,  *thin film transistor ,  *doping ,  carrier mobility ,  field emission ,  height ,  voltage ,  barrier ,  carrier ,  FET ,  polyacene ,  Schottky Junction ,  barrier height ,  hole mobility ,  charge carrier ,  field effect mobility
Semi thesaurus term： energy barrier ,  gate voltage ,  organic transistor

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Substance index (2)： Pentacene ,  TCNQF4

Terms in the title (9)： ショットキー接合 ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  接触面積 ,  制限 ,  ドーピング ,  実験 ,  数値 ,  研究