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J-GLOBAL ID：201502215563637079   Reference number：15A1399162

Effects of oxygen gas flow rates and Ga contents on structural properties of Ga-doped ZnO films prepared by ion-plating with a DC arc discharge

DCアーク放電を用いるイオンプレーティングにより作成されたGaドープZnO膜の構造特性への酸素気体流速とGa含有量の効果

Author (6)： TERASAKO Tomoaki (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama-shi, Ehime 790-8577, JPN) ,  NOMOTO Junichi (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  MAKINO Hisao (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  YAMAMOTO Naoki (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN) ,  SHIRAKATA Sho (Graduate School of Sci. and Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho, Matsuyama-shi, Ehime 790-8577, JPN) ,  YAMAMOTO Tetsuya (Res. Inst., Kochi Univ. of Technol., 185 Miyanokuchi, Tosayamada-cho, Kami-shi, Kochi 782-8502, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 596  Page： 24-28  Publication year： Dec. 01, 2015 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *arc discharge ,  *ion plating ,  *zinc oxide ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  *doping ,  Gallium ,  polycrystal ,  orientation (direction) ,  *flow velocity ,  *Oxygen ,  sintering ,  *chemical composition ,  structural property ,  *residual stress ,  compressive stress ,  *relaxation phenomenon ,  substitutional atom ,  complex defect ,  residual compressive stress ,  vacuum arc deposition
Semi thesaurus term： DCアーク放電 ,  arc ion plating ,  c-axis orientation

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (10)： DC ,  アーク放電 ,  イオンプレーティング ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  構造特性 ,  酸素 ,  気体流速 ,  含有量