Art

J-GLOBAL ID：201502215855765477   Reference number：15A1275797

Strain Analysis of III-V Epitaxial Growth by in Situ Synchrotron X-ray Diffraction

半導体結晶成長機構のその場観察 その場放射光X線回折によるIII-Vエピ成長のひずみ解析

Author (2)： SASAKI TAKUO (日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究セ) ,  TAKAHASHI MASAMITSU (日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究セ)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 42  Issue： 3  Page： 210-217  Publication year： Oct. 2015 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： experiment ,  *compound semiconductor ,  *indium gallium arsenide ,  *MBE growth ,  monolayer ,  substrate (plate) ,  gallium arsenide ,  buffer layer ,  *X-Ray Diffraction ,  synchrotron radiation ,  synchrotron radiation facility ,  mapping ,  model ,  lattice distortion ,  relaxation phenomenon ,  mismatch dislocation ,  in situ experiment ,  SPring-8 ,  *synchrotron x-ray diffraction
Semi thesaurus term： Dodson-Tsaoモデル ,  *synchrotron x-ray diffraction ,  misfit dislocation ,  reciprocal lattice mapping ,  strain relaxation

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (20)：

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• V. Krishnamoorthy, Y. W. Lin, L. Calhoun, H. L. Liu, and R. M. Park: Appl. Phys. Lett., 61 (1992) 2680

Terms in the title (5)： 半導体結晶成長 ,  その場観察 ,  放射光X線回折 ,  成長 ,  ひずみ解析