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J-GLOBAL ID：201502216926419504   Reference number：15A1330187

Single-electron pumping in single-common-gate triple-dot devices with asymmetric gate capacitances

非対称なゲート容量を持つ単一コモンゲート三重ドット素子における単一電子ポンピング

Author (3)： IMAI Shigeru (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NAKAJIMA Atsushi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  KOBATA Teppei (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 54  Issue： 10  Page： 104001.1-104001.11  Publication year： Oct. 2015 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum dot ,  capacity ,  *electron ,  *excitation (physics) ,  *structure ,  triple quantum dot ,  *single electron
Semi thesaurus term： gate capacity ,  *charge pumping ,  *asymmetric structure

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (26)：

• L. J. Geerligs, V. F. Anderegg, P. A. M. Holweg, J. E. Mooij, H. Pothier, D. Esteve, C. Urbina, and M. H. Devoret, Phys. Rev. Lett. 64, 2691 (1990).
• H. Pothier, P. Lafarge, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Europhys. Lett. 17, 249 (1992).
• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe, Electron. Lett. 31, 136 (1995).
• Y. Ono and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 82, 1221 (2003).
• L. P. Kouwenhoven, A. T. Johnson, N. C. van der Vaart, C. J. P. M. Harmans, and C. T. Foxon, Phys. Rev. Lett. 67, 1626 (1991).

Terms in the title (5)： 非対称 ,  ゲート容量 ,  ドット ,  単一電子 ,  ポンピング