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J-GLOBAL ID：201502255624448500   Reference number：15A0561626

High-mobility three-atom-thick semiconducting films with wafer-scale homogeneity

ウエハースケールの均一性を持つ,原子3個分の厚さの高移動度半導体膜

Author (12)： KANG Kibum (Cornell Univ., New York, USA) ,  HUANG Lujie (Cornell Univ., New York, USA) ,  KIM Cheol-Joo (Cornell Univ., New York, USA) ,  PARK Jiwoong (Cornell Univ., New York, USA) ,  XIE Saien (Cornell Univ., New York, USA) ,  HAN Yimo (Cornell Univ., New York, USA) ,  HUANG Pinshane Y. (Cornell Univ., New York, USA) ,  MULLER David (Cornell Univ., New York, USA) ,  MAK Kin Fai (Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA) ,  MULLER David (Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA) ,  PARK Jiwoong (Kavli Inst. at Cornell for Nanoscale Sci., New York, USA) ,  MAK Kin Fai (Cornell Univ., New York, USA)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 520  Issue： 7549  Page： 656-660  Publication year： Apr. 30, 2015 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： wafer ,  *semiconductor thin film ,  Electronics ,  *molybdenum sulfide ,  tungsten compound ,  sulfide (chalcogenide) ,  *MOCVD ,  carrier mobility ,  FET ,  thin film growth ,  multilayer interconnection ,  electron mobility ,  *tungsten sulfide
Semi thesaurus term： バレートロニクス ,  flexible electronics ,  間接型バンドギャップ ,  三原子層 ,  直接型バンドギャップ

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： ウエハース ,  ケール ,  均一性 ,  原子 ,  厚さ ,  高移動度 ,  半導体膜