Art

J-GLOBAL ID：201502267071219629   Reference number：15A0202826

Direct nano-patterning of graphene with helium ion beams

ヘリウムイオンビームによるグラフェンの直接ナノパターン形成

Author (3)： NAITOU Y. (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Higashi, Tsukuba ...) ,  IIJIMA T. (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba ...) ,  OGAWA S. (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 16-1 Onogawa, Tsukuba ...)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 106  Issue： 3  Page： 033103-033103-4  Publication year： Jan. 19, 2015 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Helium ,  ion beam ,  *pattern formation ,  carbon material ,  silicon dioxide ,  wafer ,  ion ,  microscope ,  metal-insulater transition ,  nanostructure ,  ribbon crystal ,  scanning probe microscope ,  space resolving power ,  exposure radiation dose ,  *ion microscope ,  Graphene nanoribbon ,  *helium ion ,  scanning capacitance microscope ,  *monolayer graphene ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  direct drawing

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (4)： ヘリウム ,  イオンビーム ,  グラフェン ,  ナノパターン形成