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J-GLOBAL ID：201502269412228233   Reference number：15A0204165

Prediction of Performance Degradation and Lifetime for Semiconductor Devices Using Markov Chain Model

マルコフ連鎖モデルによる半導体素子劣化・寿命予測

Author (5)： MOMODA KAI (大阪大 大学院情報科学研究科) ,  ENDO KOICHI (大阪大 大学院情報科学研究科) ,  MIDO YOSHIHIRO (大阪大 大学院情報科学研究科) ,  MIURA KATSUYOSHI (大阪大 大学院情報科学研究科) ,  NAKAMAE KOJI (大阪大 大学院情報科学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 114  Issue： 314(R2014 61-64)  Page： 1-5  Publication year： Nov. 13, 2014 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *semiconductor device ,  leakage current ,  *lifetime prediction ,  *Markov chain ,  *model ,  MOSFET ,  transition probability ,  transfer ,  percolation ,  failure rate ,  reliability prediction
Semi thesaurus term： *markov chain model ,  gate leakage current ,  state transition ,  degradation prediction

JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Reliability  (KB04040H)

Reference (5)：

• JESD47.01, "Stress-test-driven qualification of integrated circuits," JEDEC Solid State Technology Association, 2011.
• H. Korving and J. vanNoortwijk, "Bayesian updating of a prediction model for sewer degradation," Urban Water Journal, vol.5, no.1, pp.51-57, 2008.
• K. Kobayashi, K. Kaito, and N. Lethanth, "A Bayesian estimation method to improve deterioration prediction for infrastructure system with Markov chain model," International Journal of Architecture, Engineering and Construction, vol.1, no.1, pp.1-13, 2012.
• J. Stathis, "Percolation models for gate oxide breakdown," Journal of Applied Physics, vol.86, no.10, pp.5757-5766, 1999.
• S.Y. Kim, G. Panagopoulos, C.-H. Ho, M. Katoozi, E. Cannon, and K. Roy, "A compact SPICE model for statistical post-breakdown gate current increase due to TDDB," IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), pp.2A-2, 2013.

Terms in the title (3)： マルコフ連鎖モデル ,  半導体素子 ,  寿命予測