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J-GLOBAL ID：201502284668347336   Reference number：15A0529846

Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (1μm) In Ga_1- N (x=0.2-0.4)

厚い(約1μm)In_xGa_1-xN(X=0.2~0.4)における相分離に対する成長温度依存性臨界厚さ

Author (7)： YAMAMOTO A. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  YAMAMOTO A. (JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN) ,  MD Hasan Tanvir (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  MD Hasan Tanvir (JST-CREST, 7 Goban-Cho, Chiyoda, Tokyo 102-0076, JPN) ,  KODAMA K. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Osaka City Univ., 3-3-138 Sugimoto, Abeno, Osaka 558-8585, JPN) ,  KUZUHARA M. (Univ. of Fukui, 3-9-1 Bunkyo, Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 419  Page： 64-68  Publication year： Jun. 01, 2015 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *phase separation ,  temperature dependence ,  *critical constant ,  thickness ,  *MOCVD ,  *thick film ,  *nitride ,  *gallium compound ,  *indium compound ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film
Semi thesaurus term： critical value

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 相分離 ,  成長 ,  温度依存性 ,  臨界 ,  厚さ