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J-GLOBAL ID：200901011712476001   Update date: Sep. 19, 2022

Yamamoto Akio

Yamamoto Akio
Research field  (4)： Electric/electronic material engineering ,  Thin-film surfaces and interfaces ,  Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (4)： Nitride Semiconductor,Epitaxy ,  窒化物半導体,エピタキシー ,  Solar Cell,Conversion Efficiency ,  太陽電池,光電変換効率
Research theme for competitive and other funds  (9)：
  • 2014 - 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究
  • 2013 - 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究
  • 2012 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
  • 2011 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
  • 2010 - InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
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Papers (77)：
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MISC (381)：
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Books (1)：
  • Basses and applications of solar cells
    2010 ISBN:9784563067809
Lectures and oral presentations  (270)：
  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL
    (2014)
  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL
    (2014)
  • RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
    (2014)
  • RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
    (2014)
  • p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570oC)
    (2014)
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Works (20)：
  • 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究, 基盤研究(C)(一般)
    2014 -
  • 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究, 基盤研究(C)(一般)
    2012 -
  • InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究, 特定領域研究(継続領域)
    2010 -
  • 応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    2010 -
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究, 基盤研究(B)(一般)
    2009 -
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Education (1)：
  • - 1969 Fukui University
Professional career (1)：
  • Dr.Eng. (Osaka University)
Work history (2)：
  • 1988/04 - 1991/03 University of Fukui Associate Professor
  • 1969/04 - 1988/03 1969-1988 NTT Opto-Electronics Laboratory, Supervisor
Association Membership(s) (5)：
応用物理学会 ,  電気化学会 ,  電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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