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J-GLOBAL ID：201502290253566482   Reference number：15A0507538

SiO₂/Si(001)界面酸化プロセスにおける熱歪みの寄与

Author (6)： OGAWA SHUICHI (東北大 多元物質科研) ,  TANG Jiayi (東北大 多元物質科研) ,  YOSHIGOE AKITAKA (原子力機構) ,  ISHIZUKA SHINJI (秋田工高専) ,  TERAOKA YUDEN (原子力機構) ,  TAKAKUWA YUJI (東北大 多元物質科研)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 62nd  Page： ROMBUNNO.12P-D13-12  Publication year： Feb. 26, 2015 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *strain ,  interface (surface) ,  heterogeneous reaction ,  rate-limiting ,  reaction rate ,  activation energy ,  *oxidation ,  point defect ,  X-ray photoelectron spectrum ,  plotting ,  *silicon ,  *silicon dioxide ,  *distortion by heating ,  interfacial reaction ,  oxidation rate ,  *surface oxidation ,  Arrhenius plot ,  modification

JST classification (2)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (5)： SiO2 ,  Si ,  界面 ,  酸化プロセス ,  熱歪み