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J-GLOBAL ID：201502292090721801   Reference number：15A0470873

Structural and Thermal Properties of Ternary Narrow-Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite-Derived β-CuGaO₂

三元ナローギャップ酸化物半導体の構造と熱的性質 ウルツ鉱誘導β-CuGaO₂

Author (9)： NAGATANI Hiraku (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI Issei (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KITA Masao (Toyama National Coll. of Technol., Toyama, JPN) ,  TANAKA Masahiko (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  KATSUYA Yoshio (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  SAKATA Osami (National Inst. for Materials Sci., Hyogo, JPN) ,  MIYOSHI Shogo (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Shu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OMATA Takahisa (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Inorganic Chemistry  (Inorg Chem)
Volume： 54  Issue： 4  Page： 1698-1704  Publication year： Feb. 16, 2015 
JST Material Number： C0566A  ISSN： 0020-1669  CODEN： INOCAJ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Ion Exchange ,  *copper compound ,  *gallate ,  X-Ray Diffraction ,  Rietveld method ,  *crystal structure ,  thermogravimetric analysis ,  differential thermal analysis ,  differential scanning calorimetry ,  *structural phase transition ,  *metastable phase ,  band gap ,  direct band gap

JST classification (3)： Bases,metal oxides  (CD01030Z) ,  Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y) ,  Solid phase transitions  (BL04020G)

Terms in the title (4)： 酸化物半導体 ,  熱的性質 ,  ウルツ鉱 ,  誘導