シリカライト-1または複数のゼオライトベータの種結晶の表面から2次成長のみを誘導する結晶成長合成ゲル

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人前田特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2015517157
Publication number (International publication number)：2015526366
Application date： Jun. 15, 2012
Publication date： Sep. 10, 2015
Summary：

本発明は、シリカライト-1(SL)または複数のゼオライトベータ(BEA)種結晶の表面から2次成長のみを誘導し、結晶成長合成ゲル中または種結晶の表面において結晶核生成反応を誘導しない結晶成長合成ゲルを提供する。前記合成ゲルは、フュームドシリカ、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH、および H2O を含有するか、または、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(TEAOH)、フッ化水素およびH2O を含有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のシリカライト-1(SL)種結晶の表面から2次成長のみを誘導し、結晶成長合成ゲル中、または種結晶の表面において結晶核生成反応(crystal nucleation)を誘導しない結晶成長合成ゲルであり、フュームドシリカ(fumed silica)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(tetraethylammonium hydroxide、TEAOH)、[(NH4)2SiF6]、KOH、およびH2Oを含有することを特徴とする合成ゲル。

IPC (5)：

C01B 37/02 , C30B 29/18 , C30B 7/14 , C01B 33/155 , C01B 39/46

FI (5)：

C01B37/02 , C30B29/18 , C30B7/14 , C01B33/155 , C01B39/46

F-Term (86)：

4G072AA27 , 4G072BB05 , 4G072BB13 , 4G072CC05 , 4G072GG03 , 4G072HH05 , 4G072HH16 , 4G072JJ11 , 4G072JJ21 , 4G072JJ33 , 4G072LL06 , 4G072MM02 , 4G072MM23 , 4G072MM31 , 4G072NN03 , 4G072NN21 , 4G072NN24 , 4G072PP05 , 4G072PP17 , 4G072QQ09 , 4G072RR12 , 4G072RR15 , 4G072RR20 , 4G072TT01 , 4G072TT02 , 4G072UU11 , 4G072UU15 , 4G073BA05 , 4G073BA63 , 4G073BA75 , 4G073BB15 , 4G073BB48 , 4G073BB56 , 4G073BB58 , 4G073BD03 , 4G073BD08 , 4G073BD18 , 4G073BD21 , 4G073CB10 , 4G073CZ25 , 4G073FA10 , 4G073FA11 , 4G073FA15 , 4G073FB14 , 4G073FB36 , 4G073FB42 , 4G073FC03 , 4G073FC06 , 4G073FC12 , 4G073FC25 , 4G073FC27 , 4G073FD01 , 4G073FD02 , 4G073FD15 , 4G073FD17 , 4G073FD20 , 4G073FD21 , 4G073GA03 , 4G073GA08 , 4G073GA09 , 4G073GA11 , 4G073GB02 , 4G073GB03 , 4G073UA01 , 4G073UA06 , 4G073UB40 , 4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB03 , 4G077CB02 , 4G077CB08 , 4G077ED02 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077HA20 , 4G077KA01 , 4G077KA03 , 4G077KA07 , 4H006AA01 , 4H006AB68 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ21 , 4H049VR44 , 4H049VU28 , 4H049VW02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特許第7357836号
多様な厚さを有するすべてのb軸が基質に対して垂直配向されたMFI型ゼオライト薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-300898 Applicant：インダストリー-ユニバーシティコオペレイションファウンデイションソガンユニバーシティ
基質上に三つの結晶軸がすべて一様に整列した、種子結晶の2次成長によって形成された膜
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2013-528118 Applicant：西江大学校産学協力団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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