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J-GLOBAL ID:201503006793910730

中空ナノ粒子の製法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人アイテック国際特許事務所
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2011540511
Patent number:5799362
Application date: Nov. 09, 2010
Claim (excerpt):
【請求項1】(a)第1の金属と該第1の金属よりも酸化されにくい第2の金属とをイオン液体に蒸着することにより、前記第1及び第2の金属からなる合金の中実ナノ粒子が分散したイオン液体を得る工程と、 (b)前記中実ナノ粒子が分散したイオン液体を、酸化ガスを含有するガス雰囲気中で酸化することにより、前記中実ナノ粒子のコア部分が空洞になると共に該空洞に前記第2の金属の粒子が残ったジングルベル型構造の中空ナノ粒子を得る工程と、 を含み、 前記第1の金属はAl,In又はGaであり、前記第2の金属はAu,Pt,Pd,Rh,Ru又はIrである、 中空ナノ粒子の製法。
IPC (5):
C01B 13/32 ( 200 6.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  C01G 15/00 ( 200 6.01) ,  C01G 7/00 ( 200 6.01)
FI (5):
C01B 13/32 ,  B82Y 40/00 ,  B82Y 30/00 ,  C01G 15/00 B ,  C01G 7/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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