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J-GLOBAL ID：201503006810383544

抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法

Inventor： 森本 章治 ,  川江 健 ,  山岸 謙太 ,  山崎 修平
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (2)： 渡辺 尚 ,  小野 由己男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014105646
Publication number (International publication number)：2015220445
Application date： May. 21, 2014
Publication date： Dec. 07, 2015
Summary：

【課題】強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。【解決手段】抵抗変化型メモリ100は、強誘電体層1と、第1電極層3と、第2電極層5と、を備える。強誘電体層1は、BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成される。第1電極層3は、強誘電体層1の第1主面P1上に、強誘電体層1の分極により変化する第1エネルギー障壁E1、E1’、E1’’を有するように形成される。第2電極層5は、強誘電体層1の第2主面P2上に、強誘電体層1の分極により変化する第2エネルギー障壁E2、E2’、E2’’を有するように形成される。【選択図】図6A

Claim (excerpt)：

BiFeO3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成された強誘電体層と、 前記強誘電体層中における分極により変化する第1エネルギー障壁を有するように、前記強誘電体層の第1主面上に形成された第1電極層と、 前記強誘電体層中における分極により変化する第2エネルギー障壁を有するように、前記第1主面とは反対側の前記強誘電体層の主面である第2主面上に形成された第2電極層と、 を備える抵抗変化型メモリ。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 21/824

FI (4)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L27/10 444Z

F-Term (10)：

5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083PR25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 容量素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-269775   Applicant：パナソニック株式会社
• 強誘電体材料及び圧電体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-074105   Applicant：国立大学法人金沢大学
• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-318432   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ