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J-GLOBAL ID：200903051075032632

強誘電体材料及び圧電体

Inventor：
川江 健

About 川江 健

, 
森本 章治

About 森本 章治

, 
津田 尚

About 津田 尚


Applicant, Patent owner：
国立大学法人金沢大学

About 国立大学法人金沢大学


Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008074105
Publication number (International publication number)：2009231482
Application date： Mar. 21, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：
【課題】強誘電特性の劣化を引き起こすことなく、効率的にリーク電流を抑制する新たな強誘電体材料を提供する。【解決手段】薄膜化させるターゲット材料として、Bi:Nd:Fe:Mn=1.0:0.05:0.97:0.03組成を有する焼結ターゲットを用い、パルスレーザ照射によりターゲットから射出されたアブレーション粒子を、STO基板(1d)上にPt(1c)をPLA堆積させたPt/STO基板上に堆積することにより、BFOのBiサイト及びFeサイトの両方のサイトを元素置換したBNFM(1b)の強誘電体材料の薄膜を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
強誘電体であるBiFeO3のBiサイトが、希土類元素であるLa、Nd、Sm、Gd、Dy、及びYbのうち少なくとも1つを用いて元素置換され、前記BiFeO3のFeサイトが、遷移金属元素であるTi、Cr、Mn、Co、Ni、及びCuのうち少なくとも1つを用いて元素置換がされた ことを特徴とする強誘電体材料。
IPC (9)：
H01L 41/187 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01B 3/12 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  C04B 35/26
FI (8)：
H01L41/18 101B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01B3/12 318Z ,  C23C14/08 K ,  C23C14/34 A ,  C04B35/26 Z
F-Term (37)：
4G018AA11 ,  4G018AA13 ,  4G018AA15 ,  4G018AA20 ,  4G018AA21 ,  4G018AA22 ,  4G018AA23 ,  4G018AA24 ,  4G018AA37 ,  4G018AB07 ,  4K029BA50 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5F083FR01 ,  5F083GA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5G303AA01 ,  5G303AA03 ,  5G303AB06 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB05 ,  5G303CB09 ,  5G303CB10 ,  5G303CB11 ,  5G303CB13 ,  5G303CB15 ,  5G303CB18 ,  5G303CB22 ,  5G303CB23 ,  5G303CB35 ,  5G303CB41
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (6)
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