多孔質炭素材料およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：八田国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014186672
Publication number (International publication number)：2015164889
Application date： Sep. 12, 2014
Publication date： Sep. 17, 2015
Summary：

【課題】比表面積に対して高い耐腐食性を有する多孔質炭素材料を提供する。【解決手段】X線回折スペクトルにおいて、炭素の(002)面に由来するピークが観測されないか、または、炭素の(002)面に由来するピークの半値幅が5°以上であり、炭素の(10)面に由来するピークの半値幅が3.2°以下であることを特徴とする、多孔質炭素材料である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

X線回折スペクトルにおいて、炭素の(002)面に由来するピークが観測されないか、または、炭素の(002)面に由来するピークの半値幅が5°以上であり、炭素の(10)面に由来するピークの半値幅が3.2°以下であることを特徴とする、多孔質炭素材料。

IPC (5)：

C01B 31/02 , B01J 32/00 , B01J 21/18 , H01M 4/96 , G01N 27/62

FI (5)：

C01B31/02 101Z , B01J32/00 , B01J21/18 M , H01M4/96 M , G01N27/62 V

F-Term (68)：

2G041CA01 , 2G041EA05 , 2G041FA05 , 2G041GA03 , 2G041HA05 , 2G041LA08 , 4G146AA01 , 4G146AC07B , 4G146AC08A , 4G146AC09A , 4G146AC09B , 4G146AC10A , 4G146AC16A , 4G146AC16B , 4G146AC17A , 4G146AC17B , 4G146AC19A , 4G146AC19B , 4G146AC25A , 4G146AC25B , 4G146AD11 , 4G146AD23 , 4G146AD24 , 4G146AD35 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB22 , 4G146BC01 , 4G146BC02 , 4G146BC07 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC33B , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC37B , 4G146BC41 , 4G146BC43 , 4G146BC48 , 4G146CA02 , 4G146CA15 , 4G146CB11 , 4G169AA01 , 4G169AA08 , 4G169BA01C , 4G169BA08A , 4G169BA08B , 4G169CC32 , 4G169DA05 , 4G169EC03Y , 4G169EC04X , 4G169EC05X , 4G169EC05Y , 4G169EC27 , 4G169ED05 , 4G169FA01 , 4G169FB03 , 4G169FB30 , 4G169FB48 , 4G169FC03 , 4G169FC07 , 5H018AA06 , 5H018BB01 , 5H018HH02 , 5H018HH05 , 5H018HH06 , 5H018HH08 , 5H026AA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

炭素ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-158333 Applicant：住友金属鉱山株式会社, 国立大学法人東北大学
炭素材料およびこれを利用した金属担持炭素材料、ならびにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-149590 Applicant：日産自動車株式会社, 国立大学法人東北大学
ゼオライトナノチャンネル内への炭素充填
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-035278 Applicant：日産自動車株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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