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J-GLOBAL ID：201503007726299070

半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜

Inventor： 石川 亮佑 ,  宮島 晋介 ,  小長井 誠
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人科学技術振興機構 ,  国立大学法人東京工業大学
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014055402
Publication number (International publication number)：2015179695
Application date： Mar. 18, 2014
Publication date： Oct. 08, 2015
Summary：

【課題】基板上に形成した、複数のグラフェン層をその特性を実質に損なわないで、基板表面から直接または間接的に引き剥がすことにより、支持基板の不要な自立型薄膜太陽電池等の電子素子を作製することで、高効率な多接合薄膜太陽電池等の電子素子の設計の自由度を向上させるものである。【解決手段】基板上に複数のグラフェン層を形成すること、該グラフェン層上に半導体膜を含む半導体素子を形成すること、ついでグラフェン層を基板から直接または間接的に引き剥がして、引き剥がされたグラフェン層を透明導電膜とすることにより、半導体膜を含む半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に複数のグラフェン層を形成すること、該グラフェン層上に半導体膜を含む半導体素子を形成すること、ついでグラフェン層を基板から直接または間接的に引き剥がして、引き剥がされたグラフェン層を透明導電膜とすることにより、半導体膜を含む半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6)：

H01L 31/022 ,  C01B 31/02 ,  H01L 31/18 ,  H01L 33/42 ,  H01B 1/04 ,  H01B 5/02

FI (6)：

H01L31/04 266 ,  C01B31/02 101F ,  H01L31/04 460 ,  H01L33/00 222 ,  H01B1/04 ,  H01B5/02 Z

F-Term (48)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC19B ,  4G146AD17 ,  4G146AD22 ,  4G146AD24 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC41 ,  4G146BC42 ,  4G146BC45 ,  4G146CB01 ,  4G146CB05 ,  4G146CB16 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  4G146CB40 ,  5F141CA04 ,  5F141CA82 ,  5F141CA88 ,  5F141CA98 ,  5F151AA05 ,  5F151BA11 ,  5F151CA02 ,  5F151CA03 ,  5F151CA04 ,  5F151CA15 ,  5F151CB30 ,  5F151DA04 ,  5F151FA02 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151GA03 ,  5F241CA04 ,  5F241CA82 ,  5F241CA88 ,  5F241CA98 ,  5G301BA02 ,  5G307CA01 ,  5G307CA07 ,  5G307CB02 ,  5G307CC04