Pat
J-GLOBAL ID:201503007749394460
活性化ガス流を用いてグラフェンを穿孔するための方法及びこの方法から作製される有孔グラフェン
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
勝沼 宏仁
, 永井 浩之
, 磯貝 克臣
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2015501729
Publication number (International publication number):2015516357
Application date: Mar. 12, 2013
Publication date: Jun. 11, 2015
Summary:
ここでは、基底面内に複数の孔を有するグラフェンシートが説明される。グラフェンシートを製造するための方法は、グラフェンシートとヘリウムまたはアルゴンの大気圧プラズマに接触した活性化ガスとの接触工程を含み得る。導入される孔の寸法及び/または数は、接触時間、隔離距離、活性化ガスの濃度及び/またはプラズマの電力量、を変更することによって変えられ得る。有孔グラフェンシートを含む高分子複合材もまた、説明される。
Claim (excerpt):
活性化ガス流を生成するためにガスの流れをプラズマの中に曝す工程と、
前記活性化ガス流をグラフェンシートに向けて方向付ける工程と、
前記活性化ガス流で前記グラフェンシートを穿孔する工程と、
を備えたグラフェンを穿孔するための方法。
IPC (5):
C01B 31/02
, B01D 69/06
, B01D 69/10
, B01D 69/12
, B01D 71/02
FI (5):
C01B31/02 101Z
, B01D69/06
, B01D69/10
, B01D69/12
, B01D71/02
F-Term (28):
4D006GA02
, 4D006GA32
, 4D006GA35
, 4D006MA22
, 4D006MB17
, 4D006MC01
, 4D006MC02
, 4D006MC04
, 4D006MC10
, 4D006NA32
, 4D006NA45
, 4D006PC80
, 4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AD22
, 4G146AD30
, 4G146AD37
, 4G146AD40
, 4G146CB08
, 4G146CB12
, 4G146CB14
, 4G146CB16
, 4G146CB19
, 4G146CB22
, 4G146CB24
, 4G146CB32
, 4G146CB34
, 4G146CB35
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
プラズマ加工方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-344788
Applicant:松下電器産業株式会社
-
グラフェン薄膜を用いた樹脂のめっき方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-107758
Applicant:三星電子株式会社
Cited by examiner (2)
-
プラズマ加工方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-344788
Applicant:松下電器産業株式会社
-
グラフェン薄膜を用いた樹脂のめっき方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-107758
Applicant:三星電子株式会社
Article cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
Formation of Bandgap and Subbands in Graphene Nanomeshes with Sub-10nm Ribbon Width Fabricated via N
Cited by examiner (2)
-
Formation of Bandgap and Subbands in Graphene Nanomeshes with Sub-10nm Ribbon Width Fabricated via N
-
Formation of Bandgap and Subbands in Graphene Nanomeshes with Sub-10nm Ribbon Width Fabricated via N
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