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J-GLOBAL ID：201503009952273175

半導体素子及びその製造方法

Inventor： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  独立行政法人情報通信研究機構
Agent (4)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013127962
Publication number (International publication number)：2015002343
Application date： Jun. 18, 2013
Publication date： Jan. 05, 2015
Summary：

【課題】Ga2O3層の表面を覆う酸化物絶縁膜を有し、リーク電流の発生を効果的に抑制することができる半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】一実施の形態として、電流経路となる、結晶質のGa2O3からなるGa2O3層3と、Ga2O3層3の表面を覆う酸化物絶縁膜14と、を有し、酸化物絶縁膜14は、Ga2O3層3に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層14aと、結晶質層14a上の非晶質の酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層14bとを含む、Ga2O3系MISFET10を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電流経路となる、結晶質のGa2O3からなるGa2O3層と、 前記Ga2O3層の表面を覆う酸化物絶縁膜と、 を有し、 前記酸化物絶縁膜は、前記Ga2O3層に接触する結晶質の酸化物絶縁体を主成分とする結晶質層と、前記結晶質層上の非晶質の前記酸化物絶縁体を主成分とする非晶質層とを含む、 半導体素子。

IPC (9)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316

FI (15)：

H01L29/80 B ,  H01L29/80 V ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 615 ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 301B

F-Term (90)：

5F058BA06 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF73 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC01 ,  5F102GC09 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14 ,  5F140AA24 ,  5F140BA00 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB15 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ16 ,  5F140BK17 ,  5F140BK20 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC11 ,  5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-282731   Applicant：パナソニック株式会社