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J-GLOBAL ID：201503010361486845

超伝導フラーレンナノ材料及びその製造方法

Inventor： 竹屋 浩幸 ,  山口 尚秀 ,  高野 義彦 ,  加藤 良栄 ,  若原 孝次 ,  宮澤 薫一
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2011279825
Publication number (International publication number)：2013129561
Patent number：5804598
Application date： Dec. 21, 2011
Publication date： Jul. 04, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 フラーレン分子結晶と、前記フラーレン分子結晶中に添加された金属イオンと、を有し、前記フラーレン分子結晶の直径、厚さ又は長さのいずれかが1μm未満とされ、かつ、前記フラーレン分子結晶には当該結晶の成長方向に対する垂直断面の多孔質コア部に1つ以上の空孔部が設けられていると共に、 前記金属イオンが、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及び希土類金属イオンの群から選択される1又は2以上の金属イオンであり、 前記金属イオンの添加量がフラーレン分子1個に対して金属イオン6個未満の濃度であり、 前記空孔部の直径が1nm以上200nm未満であり、 遮蔽体積分率(超伝導体積分率)が80%以上であることを特徴とする超伝導フラーレンナノ材料。

IPC (5)：

C01B 31/02 ( 200 6.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  H01B 12/02 ( 200 6.01) ,  H01B 13/00 ( 200 6.01)

FI (5)：

C01B 31/02 101 F ,  B82Y 30/00 ZAA ,  B82Y 40/00 ,  H01B 12/02 ,  H01B 13/00 565 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 炭素細線及び炭素細線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-066141   Applicant：東京大学長
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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-060756   Applicant：アメリカンテレフオンアンドテレグラフカムパニー
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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-163058   Applicant：日本電気株式会社
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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-105993   Applicant：日本電気株式会社
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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-323073   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
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  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-081441   Applicant：日本板硝子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

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