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J-GLOBAL ID：201503010996698954

無電解ニッケルめっき廃液の処理方法

Inventor： 岡 徹雄 ,  田中 克昌 ,  木村 貴史 ,  辻村 盛夫 ,  寺澤 俊久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 新潟大学 ,  愛知技研株式会社 ,  株式会社イムラ材料開発研究所
Agent (2)： 牛木 護 ,  高橋 知之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010230410
Publication number (International publication number)：2011104584
Patent number：5774290
Application date： Oct. 13, 2010
Publication date： Jun. 02, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】無電解ニッケルめっき廃液から亜リン酸ニッケルを沈殿として取り出し、この亜リン酸ニッケルを硫酸で処理して硫酸ニッケルとして晶出させ、亜リン酸ニッケルと硫酸ニッケルの磁性の相違を利用してこの硫酸ニッケルの結晶を亜リン酸ニッケルから磁気分離して回収することを特徴とする無電解ニッケルめっき廃液の処理方法。

IPC (5)：

C02F 1/62 ( 200 6.01) ,  C23C 18/16 ( 200 6.01) ,  C23C 18/36 ( 200 6.01) ,  B03C 1/00 ( 200 6.01) ,  C01G 53/10 ( 200 6.01)

FI (5)：

C02F 1/62 Z ,  C23C 18/16 Z ,  C23C 18/36 ,  B03C 1/00 A ,  C01G 53/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 無電解めっき浴の処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-303554   Applicant：上村工業株式会社
• 磁気分離装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-298682   Applicant：国立大学法人新潟大学
• 対流の抑制方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-354324   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• マイクロデバイスの流体制御方法及びマイクロデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-256757   Applicant：富士フイルム株式会社
• ニッケル含有水溶液からのニッケルならびに亜燐酸の回収方法とその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-298680   Applicant：国立大学法人新潟大学, 株式会社イムラ材料開発研究所