磁場発生装置及び磁場発生方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (3)：杉村憲司 , 齋藤恭一 , 小松靖之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014042009
Publication number (International publication number)：2015167576
Application date： Mar. 04, 2014
Publication date： Sep. 28, 2015
Summary：

【課題】均一な磁場空間の位置について設計自由度を向上させるような磁場分布を有する磁場を発生する、高温超電導バルク磁石を用いた磁場発生装置及び磁場発生方法を提供する。【解決手段】磁場発生装置1は、超電導バルク磁石を備える磁極部2を備え、超電導状態において、前記超電導バルク磁石から発生する磁場は、前記磁極部の磁極面に、凹型形状の磁場分布を有する磁場を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

超電導バルク磁石を備える磁極部を備え、超電導状態において、前記超電導バルク磁石から発生する磁場は、前記磁極部の磁極面に、凹型形状の磁場分布を有する磁場を形成することを特徴とする磁場発生装置。

IPC (3)：

A61B 5/055 , G01R 33/38 , H01F 6/00

FI (3)：

A61B5/05 331 , G01N24/06 510Z , H01F7/22 Z

F-Term (8)：

4C096AB41 , 4C096AD08 , 4C096CA02 , 4C096CA31 , 4C096CA36 , 4C096CA38 , 4C096CA51 , 4C096CA70

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

核磁気共鳴装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061895 Applicant：理化学研究所, アイシン精機株式会社
片側開放型多重円筒磁気回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-226606 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
特表平4-504756

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Cited by examiner (8)

核磁気共鳴装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-061895 Applicant：理化学研究所, アイシン精機株式会社
片側開放型多重円筒磁気回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-226606 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
特表平4-504756

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