機能性素子、二酸化バナジウム薄膜製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：石島茂男 , 阿部英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014098230
Publication number (International publication number)：2015216241
Application date： May. 12, 2014
Publication date： Dec. 03, 2015
Summary：

【課題】低コストで量産性の高い薄膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の機能性素子27には、素子基板20上に形成された二酸化チタン薄膜から成るバッファ薄膜13の表面に、二酸化バナジウムから成る機能性薄膜16が形成されており、機能性薄膜16の結晶性が高いため、相転移前後の抵抗値が大きく異なる。従って、記憶素子やサーミスタ等の本発明の機能性素子27は、電気的特性に優れている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

素子基板と、前記素子基板上に形成された二酸化チタン薄膜から成るバッファ薄膜と、前記バッファ薄膜の表面に形成された二酸化バナジウム薄膜から成る機能性薄膜と、を有し、前記機能性薄膜が、金属相と絶縁相との間で相転移される機能性素子。

IPC (5)：

H01L 27/105 , C23C 14/08 , C01G 31/02 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L27/10 448 , C23C14/08 G , C01G31/02 , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C

F-Term (34)：

4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AC08 , 4G048AD02 , 4G048AD06 , 4G048AE05 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA17 , 4K029BA43 , 4K029BA48 , 4K029BB02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DA08 , 5F083FZ10 , 5F083HA10 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F110CC01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

サーモクロミックコーティング
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-552054 Applicant：マイヤーブルーノカー.
急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-381971 Applicant：韓國電子通信研究院
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-022328 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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