Pat

J-GLOBAL ID：200903006294948140

急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法

Inventor： キム、ヒュン、タク ,  ヨン、ドゥー、ヒェブ ,  チェ、ビュン、ギュ ,  カン、クワン、ヨン ,  リム、ヨン、シク ,  キム、ギュンゴク ,  メン、スンリュル ,  キム、ソン、ヒュン
Applicant, Patent owner： 韓國電子通信研究院
Agent (6)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  高橋 佳大
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004381971
Publication number (International publication number)：2006032898
Application date： Dec. 28, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】 急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る2端子半導体素子は、第1電極膜と、第1電極膜上に配置される2eV以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜と、急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜上に配置される第2電極膜と、を備えている2端子半導体素子である。これによれば、第1電極膜と第2電極膜との間に印加される電界によって急激な金属-絶縁体転移半導体物質膜では、構造的な相転移ではない正孔ドーピングによる急激な金属-絶縁体転移が発生する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1電極膜と、 前記第1電極膜上に配置される2eV以下のエネルギーギャップと正孔準位内の正孔とを有する急激な金属-絶縁体転移半導体有機又は無機物質膜と、 前記急激な金属-絶縁体転移半導体有機又は無機物質膜上に配置される第2電極膜と、 を備えていることを特徴とする2端子半導体素子。

IPC (4)：

H01L 49/02 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05

FI (3)：

H01L49/02 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/28

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,687,112号公報
  
• 米国特許第6,624,463号公報
  

Cited by examiner (4)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 埋込みモット材料酸化物チャネルを有する電界効果トランジスタを製作する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-065312   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
• ナノスケールのモット転移分子電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-257801   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 遷移金属酸化物光伝導デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-332735   Applicant：廣井善二, 村岡祐治, 山内徹