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J-GLOBAL ID:201503012712545625

ナノスケール走査センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 山本 秀策 ,  森下 夏樹
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2015528559
Publication number (International publication number):2015529328
Application date: Aug. 20, 2013
Publication date: Oct. 05, 2015
Summary:
検知プローブは、1つ以上のスピン欠陥を備えているダイヤモンド材料から形成され得、1つ以上のスピン欠陥は、蛍光光を放出するように構成され、検知プローブの検知表面から50nm以内に位置している。この検知プローブは、ダイヤモンド材料によって形成され、蛍光光を光取り出し構造の出力端の方へ光学的に誘導するように構成された光取り出し構造を含み得る。光検出器は、蛍光光を検出し得、蛍光光は、スピン欠陥から放出され、光取り出し構造を通って光学的に誘導された後、光取り出し構造の出力端を通って出る。装着システムは、検知プローブを保持し、検知プローブの検知表面と試料の表面との間の相対運動を可能にしながら、検知プローブの検知表面と試料表面との距離を制御し得る。
Claim (excerpt):
蛍光光を放出するように構成された1つ以上のスピン欠陥を備えているダイヤモンド材料から形成された検知プローブであって、前記1つ以上のスピン欠陥は、前記検知プローブの検知表面から50nm以内に位置しており、前記検知プローブは、前記ダイヤモンド材料によって形成された光取り出し構造をさらに備え、前記光取り出し構造は、前記1つ以上のスピン欠陥によって放出される前記蛍光光を前記光取り出し構造の出力端の方へ光学的に誘導するように構成されている、検知プローブと、 前記1つ以上のスピン欠陥に向けられた励起光を生成するように構成された光励起源であって、前記励起光は、前記1つ以上のスピン欠陥に蛍光発光させる、光励起源と、 前記蛍光光を検出するように構成された光検出器であって、前記蛍光光は、前記1つ以上のスピン欠陥から放出され、前記光取り出し構造を通って光学的に誘導された後、前記光取り出し構造の前記出力端を通って出る、光検出器と、 前記検知プローブを保持し、前記検知プローブの前記検知表面と試料表面との間の相対運動を可能にしながら、前記検知プローブの前記検知表面と前記試料表面との距離を制御するように構成された装着システムと を備えている、システム。
IPC (4):
G01Q 60/42 ,  G01Q 60/54 ,  G01N 21/64 ,  G01R 33/02
FI (4):
G01Q60/42 ,  G01Q60/54 101 ,  G01N21/64 E ,  G01R33/02 Z
F-Term (6):
2G017AA01 ,  2G017AB05 ,  2G017AD69 ,  2G043EA01 ,  2G043FA02 ,  2G043HA01
Article cited by the Patent:
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