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J-GLOBAL ID：201503014681237091

半導体強誘電体記憶トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 酒井 滋樹 ,  ジャン ウェイ ,  高橋 光恵
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (8)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  福地 律生 ,  本田 昭雄 ,  中村 朝幸 ,  永坂 友康
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2014519960
Patent number：5828570
Application date： May. 30, 2013
Claim (excerpt)：

【請求項1】 ソース領域とドレイン領域を有する半導体基体上に、絶縁体およびゲート電極導体がこの順に積層された構造を有する半導体強誘電体記憶トランジスタにおいて、 前記絶縁体がストロンチウムとカルシウムとビスマスとタンタルの酸化物から成る強誘電性絶縁体を含み、 当該強誘電性絶縁体は、カルシウム元素のストロンチウム元素に対する比率が0より大きく7/13以下であって、ビスマス層状ペロブスカイト型の結晶構造を有することを特徴とする半導体強誘電体記憶トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 27/10 444 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体強誘電体記憶デバイスとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-288543   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• トランジスタ型強誘電体メモリおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-350556   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-223944   Applicant：シャープ株式会社