圧電素子およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：矢作和行 , 野々部泰平 , 久保貴則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013158532
Publication number (International publication number)：2015032587
Application date： Jul. 31, 2013
Publication date： Feb. 16, 2015
Summary：

【課題】より結晶性の高い圧電薄膜を備えた圧電素子を提供する。【解決手段】圧電素子100は、所定の面方位を一面に有する基板10と、一面に積層された下部電極20と、下部電極20上に積層され、圧電体からなる圧電薄膜30と、圧電薄膜30上に積層された上部電極40と、を備える。上部電極40は、圧電薄膜30を変形させるために下部電極20との間に電圧が印加される。そして、圧電薄膜30は、物理気相成長法(PVD)もしくは化学気相成長法(CVD)を用いてエピタキシャルにより成膜される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

所定の面方位を一面に有する基板(10)と、前記一面に積層された下部電極(20)と、前記下部電極上に積層され、圧電体からなる圧電薄膜(30)と、前記圧電薄膜上に積層され、前記圧電薄膜を変形させるために前記下部電極との間に電圧が印加される上部電極(40)と、を備え、前記圧電薄膜は、物理気相成長法(PVD)もしくは化学気相成長法(CVD)を用いて、前記下部電極上にエピタキシャル成長された第1エピタキシャル膜(31)を有することを特徴とする圧電素子。

IPC (8)：

H01L 41/316 , H01L 41/047 , H01L 41/187 , H01L 41/09 , H01L 41/29 , H01L 41/318 , G02B 26/08 , G02B 26/10

FI (8)：

H01L41/316 , H01L41/047 , H01L41/187 , H01L41/09 , H01L41/29 , H01L41/318 , G02B26/08 E , G02B26/10 104Z

F-Term (28)：

2H045AB72 , 2H045AB81 , 2H141MA12 , 2H141MB24 , 2H141MB27 , 2H141MB52 , 2H141MC09 , 2H141MD12 , 2H141MD16 , 2H141MD20 , 2H141MF12 , 2H141MF14 , 2H141MG06 , 2H141MZ25 , 3C081BA11 , 3C081BA22 , 3C081BA28 , 3C081BA31 , 3C081BA44 , 3C081BA47 , 3C081BA55 , 3C081CA27 , 3C081CA28 , 3C081CA29 , 3C081DA03 , 3C081DA27 , 3C081DA29 , 3C081EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

薄膜積層体、その薄膜積層体を用いたアクチュエータ素子、フィルター素子、強誘電体メモリ、および光偏向素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-105975 Applicant：富士通株式会社
半導体基板上の積層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-066393 Applicant：国立大学法人豊橋技術科学大学
回折型薄膜圧電マイクロミラーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-300211 Applicant：三星電機株式会社

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