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J-GLOBAL ID：201503017183170345

電界効果トランジスタ、製造用基板、およびその製造方法

Inventor： 前田 文彦 ,  日比野 浩樹
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹 ,  小池 勇三
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012079785
Publication number (International publication number)：2012227520
Patent number：5770671
Application date： Mar. 30, 2012
Publication date： Nov. 15, 2012
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板の上に前記基板の平面に平行に形成されたグラフェン層と、 前記グラフェン層より立ち上がることで突出してフィン状に形成されたグラフェンのみから構成されるチャンネル領域と、 ゲート電極および前記ゲート電極を挟んで前記チャンネル領域に接続されたソース電極およびドレイン電極と を少なくとも備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/78 618 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/28 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• グラファイト薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-120636   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (1)

• グラファイト薄膜の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-120636   Applicant：日本電信電話株式会社