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J-GLOBAL ID：201503019606722334

磁気抵抗素子

Inventor： 園部 義明 ,  喜多 英治
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (2)： 大賀 眞司 ,  百本 宏之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014085698
Publication number (International publication number)：2015207593
Application date： Apr. 17, 2014
Publication date： Nov. 19, 2015
Summary：

【課題】 固定層から発生する外部磁界を抑制させた磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 反強磁性結合する複数の磁性層を含み、垂直磁化を保持する固定層と、自由層と、固定層と自由層との間に絶縁層が配置される磁気抵抗素子である。該磁気抵抗素子は、反強磁性結合する複数の磁性層の結晶配向が(001)であることが好ましい。該磁気抵抗素子の、反強磁性結合する複数の磁性層には、Rh膜とNi膜とが含まれることが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

反強磁性結合する複数の磁性層を含み、垂直磁化を保持する固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間に絶縁層が配置される磁気抵抗素子。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (6)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14

F-Term (32)：

4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ01 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA06 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC18 ,  5F092BE21 ,  5F092CA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-248633   Applicant：株式会社東芝
• メモリセル、半導体デバイス構造、メモリシステムおよび作製方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2015-518441   Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.