Pat
J-GLOBAL ID：201503022395146218

グラフェン層の転写方法

Inventor：
セドリック・ハイヘバールト

About セドリック・ハイヘバールト

, 
フィリップ・エム・フェレーケン

About フィリップ・エム・フェレーケン

, 
ジェフリー・プルトワ

About ジェフリー・プルトワ


Applicant, Patent owner：
アイメック・ヴェーゼットウェー

About アイメック・ヴェーゼットウェー


Agent (3)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014179919
Publication number (International publication number)：2015061810
Application date： Sep. 04, 2014
Publication date： Apr. 02, 2015
Summary：
【課題】グラフェン層を金属基板から第2基板へ転写するための良好な方法を提供する。【解決手段】グラフェン層(1)を金属基板(2)から第2基板(3,10)へ転写する方法であって、a.グラフェン層(1)を前記金属基板(2)の上に設けるステップと、b.プロトンを前記グラフェン層(1)に通過させることによって、水素原子を前記金属基板(2)の上に吸着させるステップと、c.吸着した水素原子を有する前記金属基板(2)を処理して、前記吸着した水素原子から水素ガスを形成するようにし、これにより前記グラフェン層(1)を前記金属基板(2)から取り外すステップと、d.前記グラフェン層(1)を前記第2基板(3,10)へ転写するステップと、e.必要に応じて、後続のステップaにおいて前記金属基板(2)を再利用するステップと、を含む。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
グラフェン層(1)を金属基板(2)から第2基板(3,10)へ転写する方法であって、 a.グラフェン層(1)を前記金属基板(2)の上に設けるステップと、 b.プロトンを前記グラフェン層(1)に通過させることによって、水素原子を前記金属基板(2)の上に吸着させるステップと、 c.吸着した水素原子を有する前記金属基板(2)を処理して、前記吸着した水素原子から水素ガスを形成するようにし、これにより前記グラフェン層(1)を前記金属基板(2)から取り外すステップと、 d.前記グラフェン層(1)を前記第2基板(3,10)へ転写するステップと、 e.必要に応じて、後続のステップaにおいて前記金属基板(2)を再利用するステップと、を含む方法。
IPC (1)：
C01B 31/02
FI (1)：
C01B31/02 101Z
F-Term (11)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4G146BC09 ,  4G146CB03 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB29 ,  4G146CB31 ,  4G146CB37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • Repeated growth and bubbling transfer of graphene with millimetre-size single-crystal grains using p
  • Frame assisted H2O electrolysis induced H2 bubbling transfer of large area graphene grown by chemica
  • Electrochemical Delamination of CVD-Grown Graphene Film:Toward the Recyclable Use of Copper Catalyst
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM