Pat
J-GLOBAL ID：201503026036069351
静電容量型圧力センサ、圧力測定装置、及び、静電容量型圧力センサの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
奈良 泰宏
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2010214023
Publication number (International publication number)：2012068149
Patent number：5652733
Application date： Sep. 24, 2010
Publication date： Apr. 05, 2012
Claim (excerpt)：
【請求項1】表面側の略中央部に形成された凹部と、前記凹部と離間して表面に形成された第1の電極部とを有した、半導体からなる基板と、
前記凹部及び前記第1の電極部と離間して前記基板の表面に絶縁体層を介して形成されている第2の電極部と、
金属間接合によって前記凹部の縁部に沿って形成された環状のボンディング層を介して前記第2の電極部に一部が電気的に接続され、圧力に応じて変形する半導体からなるダイアフラム部と、
前記凹部の縁部に沿って前記絶縁体層と前記ボンディング層との間に環状に設けられ、少なくとも白金を含む第1のバリアメタル層と、
前記凹部の縁部に沿って前記絶縁体層と前記第2の電極部との間に環状に設けられ、少なくとも白金を含む第2のバリアメタル層と、
前記第1のバリアメタル層及び前記第2のバリアメタル層とともに一体形成され、前記第1のバリアメタル層と前記第2のバリアメタル層とを接続している少なくとも白金を含む配線と、
前記第1のバリアメタル層の外縁に沿って且つ離間して、前記絶縁体層の表面に形成され、少なくとも白金を含む材料からなる温度センサ部と、
前記凹部、前記絶縁体層、前記第1のバリアメタル層、及び、前記ボンディング層で囲まれた空間を、蓋部材としての前記ダイアフラム部で前記ボンディング層側から塞ぐことによって形成された密閉空間と、を備えていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2)：
G01L 9/00 ( 200 6.01)
, H01L 29/84 ( 200 6.01)
G01L 9/00 305 A
, H01L 29/84 B
Cited by applicant (5)
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静電容量型圧力センサ素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-193620
Applicant：アルプス電気株式会社
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特開平2-269912
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圧力検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2009-215982
Applicant：日本特殊陶業株式会社
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Cited by examiner (5)
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静電容量型圧力センサ素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-193620
Applicant：アルプス電気株式会社
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特開平2-269912
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圧力検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2009-215982
Applicant：日本特殊陶業株式会社
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