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J-GLOBAL ID：201503033773838869

半導体装置、検知方法及びプログラム

Inventor： 佐藤 康夫 ,  梶原 誠司 ,  井上 美智子 ,  米田 友和 ,  李 賢彬 ,  三浦 幸也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人九州工業大学 ,  国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 ,  公立大学法人首都大学東京
Agent (1)： 羽立 幸司
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2012505659
Patent number：5737524
Application date： Mar. 14, 2011
Claim (excerpt)：

【請求項1】 テスト内容を実行する検知対象回路部を有する半導体集積回路に生じる劣化を検知することが可能な半導体装置であって、 前記検知対象回路部の温度及び電圧を測定する測定手段と、 各テスト動作周波数において前記検知対象回路部に対して前記テスト内容が許容テストタイミング内に実行されるか否かを判別し、実行される最大のテスト動作周波数を最大テスト動作周波数として決定する決定手段と、 前記決定手段が決定した前記最大テスト動作周波数を、前記測定手段が測定した温度及び電圧の値を用いて、基準温度及び基準電圧における最大テスト動作周波数に換算するとともに、当該換算された最大テスト動作周波数に基づき劣化の状態を表す劣化量も算出する算出手段とを備え、 前記半導体集積回路は、前記測定手段が前記温度及び電圧の値を測定するための値をモニタするモニタブロック回路を有し、 前記測定手段は、テストが行われる毎に、前記検知対象回路部の温度及び電圧の下で動作した前記モニタブロック回路がモニタした値から前記検知対象回路部の温度及び電圧の値を推定する推定手段を有し、 前記算出手段は、前記推定手段が推定した温度及び電圧の値を、前記測定手段が測定した温度及び電圧の値として用いて、前記決定手段が決定した前記最大テスト動作周波数を前記基準温度及び基準電圧における最大テスト動作周波数に換算する、半導体装置。

IPC (3)：

G01R 31/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)

FI (2)：

G01R 31/28 V ,  H01L 27/04 T