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J-GLOBAL ID：201602200348248959   Reference number：16A0283496

ネオンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化

Author (8)： HABUCHI HITOE (岐阜工高専) ,  KITAGAWA ATSUSHI (岐阜工高専) ,  SONOHARA KOSUKE (岐阜工高専) ,  IIDA TAMIO (岐阜工高専) ,  OHASHI FUMITAKA (岐阜大 工) ,  BAN TAKAYUKI (岐阜大 工) ,  KUME TETSUJI (岐阜大 工) ,  NONOMURA SHUICHI (岐阜大 工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.21P-S223-12  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Neon ,  *ion implantation ,  *silicon ,  *annealing (heat treatment) ,  variation ,  *crystal structure ,  structural change
Semi thesaurus term： silicon ,  anneal

JST classification (2)： Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (6)： ネオン ,  イオン ,  注入 ,  シリコン ,  アニール ,  構造変化