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J-GLOBAL ID：201602205996530777   Reference number：16A0367995

Hexagonal boron nitride is an indirect bandgap semiconductor

六方晶窒化ホウ素は間接遷移型半導体である

Author (3)： CASSABOIS G. (Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA) ,  VALVIN P. (Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA) ,  GIL B. (Univ. de Montpellier, Montpellier, FRA)
Material： Nature Photonics  (Nat Photonics)
Volume： 10  Issue： 4  Page： 262-266  Publication year： Apr. 2016 
JST Material Number： W2212A  ISSN： 1749-4885  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electronic transition ,  *boron nitride ,  hexagonal system ,  band gap ,  crystal growth ,  material ,  light emission ,  ultraviolet radiation ,  phonon ,  exciton ,  binding energy ,  spectroscopy ,  *compound semiconductor
Semi thesaurus term： two-photon spectroscopy ,  *indirect transition ,  deep ultraviolet ,  luminescence material ,  *hexagonal boron nitride

JST classification (1)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Terms in the title (2)： 六方晶窒化ホウ素 ,  間接遷移