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J-GLOBAL ID：201602209683307355   Reference number：16A0281907

自己触媒VLS法によるInP/GaInAs/InPコアマルチシェルナノワイヤの光学特性評価

Author (5)： TAKANO KOHEI (上智大 理工) ,  OGINO TAKEHIRO (上智大 理工) ,  ASAKURA KEITA (上智大 理工) ,  WAHO TAKAO (上智大 理工) ,  SHIMOMURA KAZUHIKO (上智大 理工)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 63rd  Page： ROMBUNNO.20P-P7-2  Publication year： Mar. 03, 2016 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *catalyst ,  *VLS growth ,  *compound semiconductor ,  structure ,  *nanowire ,  optical property ,  core-shell structure ,  *Autocatalyst ,  III-V semiconductor
Semi thesaurus term： III-V compound semiconductor ,  optical characteristics

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (4)： 自己触媒 ,  InP ,  GaInAs ,  光学特性評価