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J-GLOBAL ID：201602211190482560   Reference number：16A0055909

Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon

シリコン上にエピタキシャル成長させたInAs/GaAs量子ドットレーザの信頼性

Author (6)： LIU Alan Y. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  HERRICK Robert W. (Intel Corp., CA, USA) ,  UEDA Osamu (Kanazawa Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  PETROFF Pierre M. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  GOSSARD Arthur C. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  BOWERS John E. (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA)
Material： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE J Sel Top Quantum Electron)
Volume： 21  Issue： 6  Page： RONBUNNO.1900708  Publication year： Nov. 2015 
JST Material Number： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *indium arsenide ,  *gallium arsenide ,  *quantum dot laser ,  *reliability (property) ,  Time ,  elevation ,  self assembly ,  *silicon ,  wafer ,  dislocation density ,  Fabry-Perot resonator ,  transmission electron microscope ,  electron microscopy ,  life test ,  leakage current ,  MTTF
Semi thesaurus term： dislocation climb ,  mean time to failure

JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (5)： シリコン ,  エピタキシャル成長 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドットレーザ