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J-GLOBAL ID：201602213400960799   Reference number：16A0090489

Effect of NO addition on the properties of ZnO films grown using high-temperature H₂O generated by a catalytic reaction on Pt nanoparticles

触媒反応生成高エネルギーH₂Oビームを用いて堆積したZnO薄膜へのNOガス添加効果

Author (5)： ISHIZUKA YUKI (長岡技科大) ,  TAJIMA RYOICHI (長岡技科大) ,  OHASHI YUKI (長岡技科大) ,  TAMAYAMA YASUHIRO (長岡技科大) ,  YASUI KANJI (長岡技科大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 115  Issue： 297(CPM2015 83-102)  Page： 81-84  Publication year： Oct. 30, 2015 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *zinc oxide ,  thin film growth ,  spectrum ,  photoluminescence ,  nitrogen monoxide ,  doping ,  *P-type semiconductor ,  Hall effect
Semi thesaurus term： *ZnO thin film ,  PL spectrum ,  *p-type doping ,  semiconductor doping

JST classification (1)： Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (8)： 触媒反応 ,  エネルギー ,  H2O ,  ビーム ,  堆積 ,  ZnO薄膜 ,  NO ,  添加効果