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J-GLOBAL ID：201602214233428415   Reference number：16A0252038

The Effect of Melt Temperature and Solidification Time on the Single Crystal Formation of InSb Particles by Using Drop Tube Process

ドロップチューブプロセスを用いたInSb単結晶微粒子生成に対する融液温度と凝固時間の影響

Author (2)： ARAI KENTA (芝浦工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻) ,  NAGAYAMA KATSUHISA (芝浦工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻)
Material： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
Volume： 80  Issue： 3  Page： 213-216 (J-STAGE)  Publication year： 2016 
JST Material Number： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *crystal growth ,  single crystal ,  crystal structure ,  fine particle ,  *indium antimonide ,  compound semiconductor ,  testing device ,  experimental equipment ,  towering structure ,  free fall ,  morphology ,  *surface structure ,  solidification rate ,  melting point ,  growth rate ,  X-ray diffractometry ,  electron microscopy ,  particle size (diameter) ,  particle size distribution ,  *drop shaft ,  surface morphology ,  Scanning Electron Microscopy ,  III-V semiconductor ,  *structure
Semi thesaurus term： InSb ,  III-V compound semiconductor ,  無容器凝固 ,  melting temperature

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (5)：

• 1) A. Ohno: An Introduction to The Solidification of Metals, (Chijin Shokan, 1977) pp. 85–86.
• 2) P. W. Bridgman: Proc. Amer. Acad. Sci. 58(1923) 165.
• 3) P. W. Bridgman: Proc. Amer. Acad. Sci. 60(1925) 305.
• 4) J. Czochralski: Z. Phys. Chem. 92(1917) 219.
• 5) T. Kawamura and K. Nagayama: J. Japan Inst. Met. Mater. 79(2015) 419–421.

Terms in the title (7)： ドロップチューブ ,  プロセス ,  InSb ,  単結晶 ,  微粒子 ,  融液 ,  凝固時間