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J-GLOBAL ID：201602218966202907   Reference number：16A0271463

Preparation of Lithium Doped Zinc Oxide Thin Film by Low Pressure Chemical Vapor Deposition

減圧CVD法によるリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の作製

Author (4)： MISAWA KYOSUKE (東海大 大学院工学研究科) ,  ASAKA TAKASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  HIGUCHI MASASHI (東海大 大学院工学研究科) ,  AKIYAMA YASUNOBU (東海大 大学院工学研究科)
Material： Journal of the Society of Inorganic Materials, Japan  (J Soc Inorg Mater Jpn)
Volume： 23  Issue： 381  Page： 69-74  Publication year： Mar. 01, 2016 
JST Material Number： F0275A  ISSN： 1345-3769  CODEN： JSIJFR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *thin film growth ,  *zinc oxide ,  doping ,  lithium ,  transparent conducting thin films ,  compound semiconductor ,  oxide ,  *LPCVD ,  *micro structure ,  crystallinity ,  coverage factor ,  rate of sedimentation ,  thermal chemical vapor deposition ,  crystal structure ,  X-ray diffractometry ,  electron microscopy ,  indium tin oxide
Semi thesaurus term： transparent conducting oxide ,  low pressure chemical vapor deposition ,  microstructure ,  crystallinity ,  step coverage ,  Microscopy, Electron, Scanning ,  alternative material ,  ITO

JST classification (1)： Oxide thin films  (BK14050P)

Substance index (2)： Zinc acetylacetonate ,  Lithium tert-butoxide

Reference (12)：

• 山本哲也,酸化亜鉛の最先端技術と将来,シーエムシー出版(2011)p.108,142.
• A. onodera, H. sato, Material Integration, 12, p. 27-32 (1999).
• 草野英二,はじめての薄膜作製技術,工業調査会(2006)p.133.
• Y.Akiyama,東海大学紀要工学部,45,115-120(2005).
• S. C. Jung, N. Imaishi, J. Chem. Eng. Japan, 21, 143-151 (1995).

Terms in the title (6)： 減圧 ,  CVD法 ,  リチウム ,  ドープ ,  酸化亜鉛薄膜 ,  作製