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J-GLOBAL ID：201602219330663464   Reference number：16A0525482

Heteroepitaxial Growth of GaSb Films on Si(111)-√3x√3-Ga Surface Phase

Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長

Author (3)： SHIMOYAMA HIROYA (富山大 工) ,  MORI MASAYUKI (富山大 工) ,  MAEZAWA KOICHI (富山大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 116  Issue： 50(SDM2016 18-31)  Page： 51-54  Publication year： May. 12, 2016 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *solid phase growth ,  *gallium antimonide ,  *crystal orientation ,  *wafer ,  process(production) ,  atomic layer epitaxy ,  RHEED ,  X-ray diffraction
Semi thesaurus term： *GaSb ,  *Si(111) ,  XRD analysis ,  *silicon substrate ,  two-stage process ,  atomic layer epitaxy ,  *solid phase epitaxial growth

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (4)： Si ,  GaSb ,  薄膜 ,  成長