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J-GLOBAL ID：201602219867986609   Reference number：16A0838044

Si中Cu,Niの熱的振る舞い:フォトルミネッセンス/DLTS測定

Author (3)： NAKAMURA MINORU (茨城大学 工学部) ,  MURAKAMI SUSUMU (茨城大学 工学部) ,  UDONO HARUHIKO (茨城大学 工学部)
Material： 表面科学  (JSSSJ)
Volume： 37  Issue： 3  Page： 128-133(J-STAGE)  Publication year： 2016 
JST Material Number： F0940B  ISSN： 0388-5321  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *copper ,  *nickel ,  behavior ,  *photoluminescence ,  *deep level transient spectroscopy ,  impurity ,  zone melting ,  single crystal ,  depth profile ,  diffusion ,  concentration(ratio)
Semi thesaurus term： metal impurity ,  *thermal behavior ,  out-diffusion ,  surface concentration

JST classification (3)： Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Optical spectra and optical scattering in general  (BM08050S) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (38)：

• 1) W.C. Dash: J. Appl. Phys. 27, 1193 (1956).
• 2) A. Goetzberger and W. Shockley: J. Appl. Phys. 31, 1821 (1960).
• 3) K. Graff: “Metal Impurities in Silicon-Device Fabrication” (Springer, Berlin, 1995).
• 4) A.A. Istratov, H. Hieslmair and E.R. Weber: Appl. Phys. A 70, 489 (2000).
• 5) N.S. Minaev, A.V. Mudryi and V.D. Tkachev: Sov. Phys. Semicond. 13, 233 (1979).

Terms in the title (5)： Si ,  Cu ,  Ni ,  フォトルミネッセンス ,  DLTS