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J-GLOBAL ID：201602221692171923   Reference number：16A1277491

Direct bonding of SiC by modified suface activated bonding method

表面活性化接合法に基づいてSiCウェハ接合

Author (3)： SUGA T. (Univ. Tokyo) ,  MU F. (Univ. Tokyo) ,  FUJINO M. (Univ. Tokyo)
Material： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
Volume： 24th  Page： 175-178  Publication year： Sep. 04, 2014 
JST Material Number： X0060A  ISSN： 2434-396X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *conjugation(reproduction) ,  *silicon carbide ,  *activation ,  ultra high vacuum ,  layer ,  chemical mechanical polishing ,  atomic force microscope
Semi thesaurus term： AFM (microscope) ,  chemical mechanical polishing ,  *SiC ,  *wafer bonding ,  direct bonding ,  bonding layer ,  *surface activation

JST classification (2)： Bonding  (WC07020V) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (3)： 表面活性化接合 ,  SiC ,  ウェハ