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J-GLOBAL ID：201602227387946598   Reference number：16A0660686

パワーエレクトロニクス用SiCウェーハの高能率CMPプロセスの開発

Author (6)： HIRANO SHIN'YA (産業技術総合研) ,  HIRANO SHIN'YA (フジミインコーポレーテッド) ,  KAWATA KENJI (産業技術総合研) ,  ASAMIZU HIROKUNI (産業技術総合研) ,  ASAMIZU HIROKUNI (ローム) ,  KATO TOMOHISA (産業技術総合研)
Material： 砥粒加工学会誌  (Abrasive Technology)
Volume： 60  Issue： 8  Page： 454-459  Publication year： Aug. 01, 2016 
JST Material Number： L0473A  ISSN： 0914-2703  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *power electronics ,  *silicon carbide ,  wafer ,  *chemical mechanical polishing ,  slurry ,  abrasive compound ,  substrate(plate) ,  reactivity ,  polishing machine ,  oxidizing agent ,  rotation ,  etching ,  interference microscope ,  confocal microscope
Semi thesaurus term： slurry for polishing ,  silicon carbide substrate ,  differential interference microscope

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (15)：

• 1) T.Nakamura et al., Development of SiC diodes, power MOSFETs and intelligent power modules, Phys. Status Solidi A 206, 10 (2009) 2403.
• 2) 加藤智久:NEDOプロ「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」での大口径SiCウェハ加工技術開発,精密工学会誌,80,1 (2014) 18.
• 3) 河田研治:進化するSiCウェハ加工の最新技術,機械技術,62,9 (2014) 29.
• 4) M. Sasaki et al., Analysis on generation of localized step-bunchings on 4H-SiC(0001)Si face by synchrotron X-ray topography, Materials Science Forum, 778-780 (2014) 398.
• 5) 迫秀樹ら:CMP加工後に残存する4H-SiC基板表面ダメージの微細構造解析,SiC及び関連半導体研究第22回講演会A-11 (2013) 72

Terms in the title (7)： パワーエレクトロニクス ,  SiC ,  ウェーハ ,  高能率 ,  CMP ,  プロセス ,  開発