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J-GLOBAL ID：201602240796599451   Reference number：16A1153217

Physical-based RTN modeling of ring oscillators in 40-nm SiON and 28-nm HKMG by bimodal defect-centric behaviors

二峰性欠陥中心挙動による40nm SiONと28nm H KMGにおけるリング発振器の物理RTNモデル化【Powered by NICT】

Author (8)： Oshima Azusa (Kyoto Institute of Technology) ,  Komawaki Takuya (Kyoto Institute of Technology) ,  Kobayashi Kazutoshi (Kyoto Institute of Technology) ,  Kishida Ryo (Kyoto Institute of Technology) ,  Weckx Pieter (KU Leuven) ,  Kaczer Ben (imec) ,  Matsumoto Takashi (University of Tokyo) ,  Onodera Hidetoshi (Kyoto University)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： SISPAD  Page： 327-330  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We apply the bimodal trap mode...

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Thesaurus term： frequency fluctuation ,  *ring oscillator ,  scale parameter ,  *modeling ,  single mode ,  shock (mechanics) ,  gate dielectric film ,  threshold voltage ,  telegraph noise

JST classification (2)： Measuring instruments in general  (AD02000X) ,  Signal theory  (ND02020G)

Terms in the title (6)： 欠陥 ,  挙動 ,  SiON ,  リング発振器 ,  物理 ,  モデル化