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J-GLOBAL ID：201602249953795012   Reference number：16A0942114

イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価

Author (10)：
MURAKAMI TAIYO

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Material：
応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))

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Volume： 77th  Page： ROMBUNNO.15p-P11-8  Publication year： Sep. 01, 2016 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
Thesaurus term/Semi thesaurus term
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*ion implantation

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relaxation phenomenon

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*silicon

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*silicon carbide

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*crystallinity

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*carrier mobility

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Semi thesaurus term：
Thesaurus term/Semi thesaurus term
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strain relaxation

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JST classification (2)：
JST classification
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Surface structure of semiconductors 
(BK15030A)

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,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general 
(BM03041P)

About Electric conduction in semiconductors and insulators in general

Terms in the title (5)：
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イオン注入

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歪み緩和

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Si

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結晶性

About 結晶性

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