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J-GLOBAL ID：201602253600397533   Reference number：16A1031726

Low-noise terahertz-wave detection by InP/InGaAs Fermi-level managed barrier diode

InP/InGaAsのフェルミレベルを制御したバリアダイオードによる低ノイズテラヘルツ波検出

Author (3)： ITO Hiroshi (Kitasato Univ., Sagamihara, JPN) ,  ITO Hiroshi (Kitasato Univ., Sagamihara, JPN) ,  ISHIBASHI Tadao (NTT Electronics Techno Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 9  Issue： 9  Page： 092401.1-092401.3  Publication year： Sep. 2016 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,  indium gallium arsenide ,  *Fermi level ,  diode ,  *detection ,  *noise characteristic ,  *antenna(electric)
Semi thesaurus term： *terahertz detection ,  bow-tie antenna

JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W)

Reference (27)：

• H.-W. Hubers, G. W. Schwaab, and H. P. Roser, J. Appl. Phys. 75, 4243 (1994).
• A. Rogalski and F. Sizov, Opto-Electron. Rev. 19, 346 (2011).
• Web [http://vadiodes.com/index.php/en/products/detectors].
• Web [http://www.acst.de/?page=4.&view=thz_detector].
• S. A. Clark, S. P. Wilks, A. Kestle, D. I. Westwood, and M. Elliott, Surf. Sci. 352-354, 850 (1996).

Terms in the title (5)： InP ,  InGaAs ,  フェルミレベル ,  低ノイズ ,  テラヘルツ波検出