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J-GLOBAL ID：201602260952549035   Reference number：16A1081046

GaN-Based Power Device on Si Grown by MOCVD

SiC/GaNパワー半導体の現状と展開 MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス

Author (1)： EGAWA TAKASHI (名古屋工大 極微デバイス次世代材料研究セ)
Material： まぐね  (Magnetics Japan)
Volume： 11  Issue： 5  Page： 260-263  Publication year： Oct. 01, 2016 
JST Material Number： L5842A  ISSN： 1880-7208  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *power electronics ,  power transistor ,  *wafer ,  epitaxy ,  *heterojunction ,  switching element ,  voltage ,  electric strength ,  Si wafer
Semi thesaurus term： power semiconductor ,  silicon substrate ,  epitaxial growth ,  switching device

JST classification (2)： Power converters  (NB08030B) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (8)：

• W. Saito et al.: Solid State Electron., 48, 1555 (2004).
• 高橋 清(監修):ワイドギャップ半導体光・電子デバイス,p.3(森北出版,2006)
• S. L. Selvaraj et al.: Appl. Phys. Lett., 90, 173506-1 (2007).
• T. Egawa et al.: IEEE Electron Device Lett., 26, 169 (2005).
• M. Akiyama et al.: Jpn. J. Appl. Phys., 23, L843 (1984).

Terms in the title (8)： SiC ,  GaN ,  パワー半導体 ,  現状 ,  展開 ,  MOCVD ,  Si基板 ,  パワーデバイス