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J-GLOBAL ID：201602263655488161   Reference number：16A0726610

Growth of Type-II InP quantum dots in InGaP matrix by using solid-source molecular beam epitaxy for intermediate-band solar cells

中間バンド太陽電池のための固体源分子ビームエピタクシーによるInGaPマトリックスにおけるII型InP量子ドットの成長【Powered by NICT】

Author (2)： Sugaya Takeyoshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Tayagaki Takeshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan)
Material： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conf Proc)
Volume： 2016  Issue： CSW  Page： 1  Publication year： 2016 
JST Material Number： W2441A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： We demonstrate type-II InP qua...

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Thesaurus term： growth rate ,  carrier lifetime ,  photoluminescence ,  *solar cell ,  *indium phosphide ,  wavelength ,  *quantum dot ,  monomolecular layer ,  *MBE growth ,  *intermediate band ,  *gallium indium phosphide
Semi thesaurus term： *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

JST classification (4)： Speach processing  (JE05000E) ,  Graphic and image processing in general  (JE04010I) ,  Signal theory  (ND02020G) ,  Code theory  (ND02030R)

Terms in the title (8)： 中間バンド太陽電池 ,  固体 ,  分子ビームエピタクシー ,  InGaP ,  マトリックス ,  InP ,  量子ドット ,  成長